Mục đích sử dụng
Máy tính cá nhân

Dung lượng lưu trữ
1000GB (1GB=1 tỷ byte theo IDEMA) * Dung lượng sử dụng thực tế có thể ít hơn (do định dạng, phân vùng, hệ điều hành, ứng dụng, v.v.)

Hình dạng thiết bị
M.2 (2280)

Giao diện
PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c

Kích thước (RxCxS)
80.15 x 22.15 x 2.38 (mm)

Trọng lượng
Tối đa 9.0 g

Dung lượng bộ nhớ
Samsung V-NAND 3-bit MLC

Bộ điều khiển
Samsung Elpis

Bộ nhớ Cache
Samsung 1GB DDR4 SDRAM Công Suất Thấp

Hỗ trợ TRIM
Có

Hỗ trợ S.M.A.R.T
Có

GC (Bộ thu gom rác)
Thuật toán thu gom rác tự động

Hỗ trợ mã hóa
Mã hóa AES 256-bit (Lớp 0)TCG/Opal IEEE1667 (Ổ đĩa được mã hóa)

Hỗ trợ WWN
Không

Chế độ chờ
Có

Tốc độ đọc tuần tự
Lên tới 7.000 MB/s * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Tốc độ ghi tuần tự
Lên tới 5.000 MB/s * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD32)
Lên tới 1.000.000.000 IOPS* Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD32)
Lên tới 1.000.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Đọc ngẫu nhiên (4KB, QD1)
Lên tới 22.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Ghi ngẫu nhiên (4KB, QD1)
Lên tới 60.000 IOPS * Hiệu suất có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Tiêu thụ điện năng trung bình (Mức hệ thống)
*Trung bình: 6,2 W *Tối đa: 8,9 W (Chế độ truyền tốc độ cao) * Mức tiêu thụ điện thực tế có thể thay đổi tùy theo phần cứng và cấu hình hệ thống

Tiêu thụ điện năng (không tải)
Tối đa 35 mW * Mức tiêu thụ điện năng thực tế có thể thay đổi tùy theo cấu hình và phần cứng hệ thống

Điện áp cho phép
3,3 V ± 5 % Điện áp cho phép

Độ tin cậy (MTBF)
Bền bỉ 1,5 triệu giờ (MTBF)

Nhiệt độ vận hành
0 – 70℃

Va chạm
1.500 G & 0,5 ms (Nửa chu kỳ hình sin)

Bộ cài đặt
Không có sẵn

Phần mềm quản lý
Phần mềm Magician để quản lý SSD